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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
InnoDisk Corporation 16GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs InnoDisk Corporation 16GB

総合得点
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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

総合得点
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InnoDisk Corporation 16GB

InnoDisk Corporation 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB 考慮すべき理由
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    11.8 left arrow 7.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.2 left arrow 8.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 17000
    周辺 1.13% 高帯域
InnoDisk Corporation 16GB 考慮すべき理由
InnoDisk Corporation 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    38 left arrow 47
    周辺 -24% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
InnoDisk Corporation 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    47 left arrow 38
  • 読み出し速度、GB/s
    11.8 left arrow 7.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.2 left arrow 8.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2323 left arrow 2163

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB RAMの比較

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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

InnoDisk Corporation 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2

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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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