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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB

総合得点
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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

総合得点
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Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB 考慮すべき理由
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
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Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB 考慮すべき理由
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 47
    周辺 -114% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18 left arrow 11.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.8 left arrow 9.2
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    47 left arrow 22
  • 読み出し速度、GB/s
    11.8 left arrow 18.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.2 left arrow 12.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2323 left arrow 3110

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB RAMの比較

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