RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
比較する
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
総合得点
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
総合得点
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
35
周辺 26% 低遅延
考慮すべき理由
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15
12.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.4
9.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
26
35
読み出し速度、GB/s
12.6
15.0
書き込み速度、GB/秒
9.5
10.4
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2174
2672
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAMの比較
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
バグを報告する
×
Bug description
Source link