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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
総合得点
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
総合得点
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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考慮すべき理由
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
21
26
周辺 -24% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.4
12.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.8
9.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
26
21
読み出し速度、GB/s
12.6
18.4
書き込み速度、GB/秒
9.5
12.8
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2174
2980
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-138.A00G 8GB
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Kingston KF552C40-16 16GB
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Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
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Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
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