RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

総合得点
star star star star star
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB 考慮すべき理由
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 34
    周辺 24% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.5 left arrow 8.5
    テスト平均値
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.9 left arrow 12.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    12.6 left arrow 13.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.5 left arrow 8.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2174 left arrow 2504

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAMの比較

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
メモリRAM
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
メモリRAM
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
メモリRAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
メモリRAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
メモリRAM
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
メモリRAM