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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Inmos + 256MB

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB vs Inmos + 256MB

総合得点
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

総合得点
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Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

相違点 仕様 コメント

相違点

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB 考慮すべき理由
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 30
    周辺 7% 低遅延
Inmos + 256MB 考慮すべき理由
Inmos + 256MB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    11.5 left arrow 11.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.1 left arrow 6.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    16800 left arrow 10600
    周辺 1.58 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Inmos + 256MB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    11.1 left arrow 11.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.5 left arrow 9.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 16800
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow no data
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2113 left arrow 2318

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB RAMの比較

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
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Inmos + 256MB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
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Kingston 9905700-026.A00G 8GB
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メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
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メモリRAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
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メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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