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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

総合得点
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

総合得点
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB 考慮すべき理由
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 31
    周辺 10% 低遅延
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB 考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.5 left arrow 11.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.4 left arrow 6.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    11.1 left arrow 12.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.5 left arrow 9.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2113 left arrow 2361

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G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
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Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
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SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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メモリRAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
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