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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB

総合得点
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

総合得点
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Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB 考慮すべき理由
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 30
    周辺 7% 低遅延
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB 考慮すべき理由
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.9 left arrow 11.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.7 left arrow 6.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    11.1 left arrow 15.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.5 left arrow 10.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2113 left arrow 2846

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Kingston 9905701-032.A00G 16GB
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メモリRAM
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
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Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
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メモリRAM
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Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
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メモリRAM
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
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