RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB

総合得点
star star star star star
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB

Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB 考慮すべき理由
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 43
    周辺 37% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.8 left arrow 11.6
    テスト平均値
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB 考慮すべき理由
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.2 left arrow 6.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 10600
    周辺 2.42 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 43
  • 読み出し速度、GB/s
    12.8 left arrow 11.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.7 left arrow 11.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2045 left arrow 2615

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB RAMの比較

Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB

Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
メモリRAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
メモリRAM
Kingston KHX2133C11S3L/4G 4GB
Kingston KHX2133C11S3L/4G 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
メモリRAM
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
メモリRAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
メモリRAM