RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Catalyst 256NU8 256MB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB

Catalyst 256NU8 256MB vs Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB

総合得点
star star star star star
Catalyst 256NU8 256MB

Catalyst 256NU8 256MB

総合得点
star star star star star
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB

Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Catalyst 256NU8 256MB 考慮すべき理由
Catalyst 256NU8 256MB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    589.6 left arrow 12.5
    テスト平均値
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB 考慮すべき理由
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 63
    周辺 -174% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17 left arrow 1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 3200
    周辺 5.31 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Catalyst 256NU8 256MB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    63 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    1,932.4 left arrow 17.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    589.6 left arrow 12.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    3200 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    179 left arrow 3098

Catalyst 256NU8 256MB RAMの比較

A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB

Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
メモリRAM
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
メモリRAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
メモリRAM