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Corsair CM3X4GSD1066 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
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Corsair CM3X4GSD1066 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
総合得点
Corsair CM3X4GSD1066 4GB
総合得点
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Corsair CM3X4GSD1066 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
32
周辺 6% 低遅延
考慮すべき理由
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
16
12.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.4
6.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
8500
周辺 2.26 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Corsair CM3X4GSD1066 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
30
32
読み出し速度、GB/s
12.4
16.0
書き込み速度、GB/秒
6.7
13.4
メモリ帯域幅、mbps
8500
19200
Other
商品説明
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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