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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
総合得点
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
総合得点
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
34
周辺 -31% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.2
16
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
17.3
10.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
34
26
読み出し速度、GB/s
16.0
18.2
書き込み速度、GB/秒
10.3
17.3
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2782
3938
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
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