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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
総合得点
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
16
13.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.3
10.1
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
34
周辺 -21% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
34
28
読み出し速度、GB/s
16.0
13.8
書き込み速度、GB/秒
10.3
10.1
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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2179
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