Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB

総合得点

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

総合得点

Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB

Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

考慮すべき理由
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

34 67

周辺 49% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

10.3 9.1

テスト平均値

Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB

考慮すべき理由
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

17.1 16

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 10600

周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

34 67
読み出し速度、GB/s

16.0 17.1
書き込み速度、GB/秒

10.3 9.1
メモリ帯域幅、mbps

10600 19200

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2782 2027

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

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SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

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Kingston 9905700-012.A00G 8GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB

Kingston KHX16LC9/8GX 8GB

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ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB

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AMD R5S38G1601U2S 8GB

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Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB

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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

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Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB

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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

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