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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB

総合得点
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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

総合得点
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Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB

Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB 考慮すべき理由
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 34
    周辺 -17% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.8 left arrow 16
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.3 left arrow 10.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    34 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    16.0 left arrow 17.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.3 left arrow 14.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2782 left arrow 3551

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Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
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メモリRAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
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Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
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メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
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メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
メモリRAM
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB
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