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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB

総合得点
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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

総合得点
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Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB

Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB 考慮すべき理由
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 34
    周辺 -48% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.6 left arrow 16
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.9 left arrow 10.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    34 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    16.0 left arrow 16.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.3 left arrow 12.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2782 left arrow 2825

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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
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メモリRAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
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メモリRAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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Kingston 9905625-097.A00G 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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