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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
総合得点
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
総合得点
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
34
37
周辺 8% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16
15.8
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
13.5
10.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
10600
周辺 2.42 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
34
37
読み出し速度、GB/s
16.0
15.8
書き込み速度、GB/秒
10.3
13.5
メモリ帯域幅、mbps
10600
25600
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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3075
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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