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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB

総合得点
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

総合得点
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Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB

Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB 考慮すべき理由
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 41
    周辺 -41% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.7 left arrow 13.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.2 left arrow 8.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    41 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    13.9 left arrow 17.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.5 left arrow 13.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2385 left arrow 3304

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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
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メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
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Panram International Corporation M424016 4GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
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メモリRAM
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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