Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB

総合得点

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

総合得点

Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB

Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

考慮すべき理由
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

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Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB

考慮すべき理由
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

34 41

周辺 -21% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

14.7 13.9

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

12.3 8.5

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 10600

周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

41 34
読み出し速度、GB/s

13.9 14.7
書き込み速度、GB/秒

8.5 12.3
メモリ帯域幅、mbps

10600 21300

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2385 2552

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB

Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB

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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

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Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB

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A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB

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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

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