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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
総合得点
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
総合得点
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
41
周辺 -52% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.3
13.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
17.7
8.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
41
27
読み出し速度、GB/s
13.9
18.3
書き込み速度、GB/秒
8.5
17.7
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2385
3956
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
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Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
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