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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
総合得点
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
総合得点
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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考慮すべき理由
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
41
周辺 -37% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.5
13.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.7
8.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
41
30
読み出し速度、GB/s
13.9
15.5
書き込み速度、GB/秒
8.5
9.7
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2385
2496
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
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