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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
総合得点
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
総合得点
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
13.9
12.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
31
41
周辺 -32% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
9.4
8.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
41
31
読み出し速度、GB/s
13.9
12.5
書き込み速度、GB/秒
8.5
9.4
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2385
2361
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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