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Corsair CML8GX3M1A1600C9 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

Corsair CML8GX3M1A1600C9 8GB vs Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

総合得点
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Corsair CML8GX3M1A1600C9 8GB

Corsair CML8GX3M1A1600C9 8GB

総合得点
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Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Corsair CML8GX3M1A1600C9 8GB 考慮すべき理由
Corsair CML8GX3M1A1600C9 8GB
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Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB 考慮すべき理由
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 36
    周辺 -29% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.6 left arrow 13.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.7 left arrow 9.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Corsair CML8GX3M1A1600C9 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    36 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    13.6 left arrow 16.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.2 left arrow 13.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2615 left arrow 3007

Corsair CML8GX3M1A1600C9 8GB RAMの比較

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Kingston 9965589-006.E00G 8GB
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G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
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メモリRAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
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Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
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AMD R7S44G2606U1S 4GB
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メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
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メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Kingston 9965589-033.D00G 8GB
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