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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
総合得点
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
総合得点
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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考慮すべき理由
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
38
39
周辺 -3% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.9
14.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.4
8.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
10600
周辺 2.42 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
39
38
読み出し速度、GB/s
14.6
17.9
書き込み速度、GB/秒
8.8
10.4
メモリ帯域幅、mbps
10600
25600
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2355
3030
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAMの比較
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
INTENSO 5641152 4GB
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