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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB

総合得点
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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

総合得点
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Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB

Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB 考慮すべき理由
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 35
    周辺 20% 低遅延
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.6 left arrow 12.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.8 left arrow 8.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    12.6 left arrow 15.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.3 left arrow 12.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2112 left arrow 2976

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
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メモリRAM
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メモリRAM
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
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