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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
総合得点
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
総合得点
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
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考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
28
周辺 -22% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
20.3
12.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
18.1
8.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
23
読み出し速度、GB/s
12.6
20.3
書き込み速度、GB/秒
8.3
18.1
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2112
4173
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
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