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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB

総合得点
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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

総合得点
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Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB

Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB 考慮すべき理由
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
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Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB 考慮すべき理由
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    21 left arrow 25
    周辺 -19% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.7 left arrow 14.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.1 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 21
  • 読み出し速度、GB/s
    14.2 left arrow 17.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 13.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2307 left arrow 2833

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB RAMの比較

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
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メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
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Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
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メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
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メモリRAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
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Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
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