Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

総合得点

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

総合得点

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

考慮すべき理由
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

25 34

周辺 26% 低遅延

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

考慮すべき理由
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

15.4 14.2

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

11.5 8.1

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 12800

周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

25 34
読み出し速度、GB/s

14.2 15.4
書き込み速度、GB/秒

8.1 11.5
メモリ帯域幅、mbps

12800 17000

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2307 2763

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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