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Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
総合得点
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
総合得点
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
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考慮すべき理由
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
37
40
周辺 -8% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16
12.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.6
7.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
40
37
読み出し速度、GB/s
12.8
16.0
書き込み速度、GB/秒
7.0
12.6
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2021
2808
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB RAMの比較
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Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB RAMの比較
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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