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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
比較する
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
総合得点
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
総合得点
AMD R744G2606U1S 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
38
76
周辺 50% 低遅延
考慮すべき理由
AMD R744G2606U1S 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.7
13.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
38
76
読み出し速度、GB/s
13.9
15.7
書き込み速度、GB/秒
8.7
8.7
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2106
1809
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
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G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
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InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
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