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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
総合得点
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
総合得点
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
相違点
仕様
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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
38
周辺 -15% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.4
13.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.3
8.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
38
33
読み出し速度、GB/s
13.9
16.4
書き込み速度、GB/秒
8.7
11.3
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2106
2919
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
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Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
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