RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB

総合得点
star star star star star
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

総合得点
star star star star star
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB

Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB 考慮すべき理由
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
バグを報告する
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB 考慮すべき理由
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 38
    周辺 -65% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18 left arrow 13.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.1 left arrow 8.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    38 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    13.9 left arrow 18.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.7 left arrow 13.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2106 left arrow 3211

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB RAMの比較

Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMX4GX3M2B1600C9 2GB

Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
メモリRAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
メモリRAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
メモリRAM