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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
総合得点
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
総合得点
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
13.9
10.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.7
5.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
38
周辺 -15% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
38
33
読み出し速度、GB/s
13.9
10.4
書き込み速度、GB/秒
8.7
5.5
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2106
1806
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
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