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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
総合得点
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
総合得点
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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考慮すべき理由
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
38
周辺 -58% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14.9
13.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.6
8.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
38
24
読み出し速度、GB/s
13.9
14.9
書き込み速度、GB/秒
8.7
10.6
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2106
2196
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
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