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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
比較する
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
総合得点
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
総合得点
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
38
39
周辺 3% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
8.7
7.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15
13.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
38
39
読み出し速度、GB/s
13.9
15.0
書き込み速度、GB/秒
8.7
7.5
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2106
2245
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
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