Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

総合得点

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

考慮すべき理由
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

17 24

周辺 29% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

22.8 12.7

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

15.4 6.3

テスト平均値

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

バグを報告する

より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 10600

周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

17 24
読み出し速度、GB/s

22.8 12.7
書き込み速度、GB/秒

15.4 6.3
メモリ帯域幅、mbps

10600 17000

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

3391 2256

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

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Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB

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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

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Micron Technology 99U5403-159.A01LF 8GB

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A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

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Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB

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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB

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