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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
総合得点
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
総合得点
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
17
34
周辺 50% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
22.8
16.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.4
12.1
テスト平均値
考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
17
34
読み出し速度、GB/s
22.8
16.4
書き込み速度、GB/秒
15.4
12.1
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
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Frequency (Mhz) *
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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