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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB

総合得点
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

総合得点
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Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB

Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB 考慮すべき理由
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    17 left arrow 39
    周辺 56% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    22.8 left arrow 8.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.4 left arrow 6.8
    テスト平均値
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB 考慮すべき理由
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    17 left arrow 39
  • 読み出し速度、GB/s
    22.8 left arrow 8.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    15.4 left arrow 6.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    3391 left arrow 2011

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAMの比較

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
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メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Kingston 9905712-001.B00G 16GB
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メモリRAM
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
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メモリRAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
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Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
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メモリRAM
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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