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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB

総合得点
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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

総合得点
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB 考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 39
    周辺 -63% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.4 left arrow 14
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.3 left arrow 9.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    39 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    14.0 left arrow 18.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 14.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2489 left arrow 3158

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Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
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メモリRAM
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
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SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
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