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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
総合得点
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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書き込み速度の高速化、GB/s
7.4
6.7
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
37
周辺 -61% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
13.6
11.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
37
23
読み出し速度、GB/s
11.4
13.6
書き込み速度、GB/秒
7.4
6.7
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1683
2339
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAMの比較
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
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