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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Kingston 9905598-006.A00G 8GB
総合得点
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
総合得点
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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考慮すべき理由
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
37
周辺 -32% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
13.2
11.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.6
7.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
37
28
読み出し速度、GB/s
11.4
13.2
書き込み速度、GB/秒
7.4
10.6
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1683
2779
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
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