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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
総合得点
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
総合得点
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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考慮すべき理由
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
37
周辺 -32% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
19.8
11.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.5
7.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
37
28
読み出し速度、GB/s
11.4
19.8
書き込み速度、GB/秒
7.4
14.5
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1683
3650
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAMの比較
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
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