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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
総合得点
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
総合得点
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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考慮すべき理由
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
21
37
周辺 -76% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.4
11.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.8
7.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
37
21
読み出し速度、GB/s
11.4
18.4
書き込み速度、GB/秒
7.4
12.8
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1683
2980
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
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