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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB

総合得点
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

総合得点
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PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB

PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB 考慮すべき理由
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 37
    周辺 -9% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.1 left arrow 11.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.9 left arrow 7.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    37 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    11.4 left arrow 13.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.4 left arrow 12.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1683 left arrow 2608

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAMの比較

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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
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Kingston X2YH1K-MIE 16GB
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Corsair VS1GB800D2 1GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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