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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB

総合得点
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

総合得点
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Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 74
    周辺 50% 低遅延
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB 考慮すべき理由
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.8 left arrow 11.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.9 left arrow 7.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    37 left arrow 74
  • 読み出し速度、GB/s
    11.4 left arrow 13.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.4 left arrow 7.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1683 left arrow 1825

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Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
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メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
メモリRAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
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メモリRAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
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メモリRAM
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
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メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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