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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

総合得点
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

総合得点
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SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 37
    周辺 -3% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.3 left arrow 11.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.1 left arrow 7.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    37 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    11.4 left arrow 15.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.4 left arrow 11.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1683 left arrow 2696

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Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
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メモリRAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
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メモリRAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
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Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Kingston 9965600-012.A02G 16GB
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
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Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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