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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
比較する
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
総合得点
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
総合得点
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
37
40
周辺 8% 低遅延
考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.8
11.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.7
7.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
37
40
読み出し速度、GB/s
11.4
15.8
書き込み速度、GB/秒
7.4
13.7
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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2959
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
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Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
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