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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB

総合得点
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

総合得点
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Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB 考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 37
    周辺 -3% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.4 left arrow 11.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.9 left arrow 7.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    37 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    11.4 left arrow 19.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.4 left arrow 13.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1683 left arrow 3351

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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
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メモリRAM
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
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Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
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メモリRAM
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
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メモリRAM
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Kingston KWTHG4-MIE 16GB
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
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