Corsair VS1GB800D2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

Corsair VS1GB800D2 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

総合得点
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Corsair VS1GB800D2 1GB

Corsair VS1GB800D2 1GB

総合得点
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

相違点

  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 19.5
    テスト平均値
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    19 left arrow 47
    周辺 -147% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.8 left arrow 1,361.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Corsair VS1GB800D2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    47 left arrow 19
  • 読み出し速度、GB/s
    4,680.7 left arrow 19.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,361.1 left arrow 15.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
    460 left arrow 3435
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