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Corsair VS1GSDS533D2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

Corsair VS1GSDS533D2 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

総合得点
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Corsair VS1GSDS533D2 1GB

Corsair VS1GSDS533D2 1GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Corsair VS1GSDS533D2 1GB 考慮すべき理由
Corsair VS1GSDS533D2 1GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    895.9 left arrow 6.9
    テスト平均値
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    40 left arrow 86
    周辺 -115% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    9.1 left arrow 1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 4200
    周辺 4.57 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Corsair VS1GSDS533D2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    86 left arrow 40
  • 読み出し速度、GB/s
    1,761.9 left arrow 9.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    895.9 left arrow 6.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    4200 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 left arrow PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    287 left arrow 2031

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